
随着电子设备向小型化、高集成度方向发展,电源管理系统的稳定性与安全性日益受到关注。电源监控芯片作为系统供电核心,其内部集成的温度监测功能成为保障系统可靠运行的重要环节。
现代电源监控芯片通常内置高精度温度传感器,采用基于双极性晶体管(BJT)或带隙参考电压(Bandgap Reference)的结构。这些传感器通过测量半导体材料随温度变化的电学特性(如基极-发射极电压VBE),实现对芯片内部温度的实时采集。该方法具有响应快、功耗低、线性度好等优点。
采集到的模拟温度信号经由片上ADC转换为数字信号后,由微控制器单元(MCU)进行分析。当温度超过预设安全阈值(如85℃或100℃),芯片将触发过温保护机制,输出报警信号或切断电源输出,防止器件损坏。
尽管当前技术已较为成熟,但仍面临挑战:如传感器非线性误差、封装热阻影响、多点温度同步等问题。未来发展方向包括:
• 集成AI算法进行动态温度预测;
• 采用MEMS技术提升传感精度;
• 支持远程云端温度监控与数据分析。
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